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半导体功率模块

HIITIO 电源模块专为高效电源转换和控制而设计,集成了 IGBT、MOSFET 和 SiC 技术。它们具有高功率密度和低损耗,广泛应用于工业、可再生能源、电动交通和家用电器等领域。

分类
模块类型
封装
电路图
阻断电压 (V)
电流(A)
导通电阻 (mΩ)
最高温度 (℃)
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型号
类型
封装
电路图
阻断电压 (V)
电流(A)
导通电阻 (mΩ)
最高温度 (℃)
规格
碳化硅SBD
TO-220-2
1200
2
159
碳化硅SBD
TO-220-2
650
4
153
碳化硅SBD
DFN8*8
650
6
159
碳化硅SBD
SOT-227
1200
120
108
碳化硅SBD
TO-247-3
1200
16
155
碳化硅SBD
TO-247-3
1200
20
152
碳化硅SBD
TO-247-2
1200
20
150
碳化硅SBD
TO-247-3
1200
40
151
碳化硅SBD
TO-247-2
1200
40
155
碳化硅SBD
TO-247-2
1200
60
144
IGBT
H1
3300
1000
IGBT
34mm
Half Bridge
1200
100
IGBT
34mm
Half Bridge
1700
100
IGBT
Easy 2B
FL: 3-level
650
100
IGBT
Easy 2B
FL: 3-level
650
100
150
IGBT
Econo PIM 3H
PIM
1200
100
IGBT
Econo PIM 2H
FT: Three phase
1200
100
150
IGBT
Econo PIM 2H
FT: Three phase
1200
100
150
IGBT
E6
Chopper
1700
1200
IGBT
H
3300
1500
12...10
HIITIO 徽标全 300

立即联系我们,了解我们的创新产品如何助力您未来的项目!

HIITIO 拥有超过 20 年的经验和遍布 500 多个国家的 50 多家满意客户,是您在高压直流解决方案领域值得信赖的合作伙伴 电动汽车, 太阳能系统, 储能应用等等。

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浙江海拓新能源有限公司拥有 20 多年的电力电子专业知识和 70 多名研发工程师组成的团队,为全球提供创新的能源转换解决方案。

我们的产品专注于 IGBT 和 MOSFET 模块、电源转换系统和先进封装技术,为电动汽车、可再生能源系统和工业电机驱动器等应用提供动力。

立即与我们联系,改变您的能源未来!

技术比较

了解不同半导体技术对您的应用的优势。

参数 硅基 IGBT SiC MOSFET SiC/Si混合物 压接包装 IGBT
开关频率 低 - 中
1-20kHz
非常高
50-200kHz

20-100kHz

0.1-5kHz
系统效率 95-97% 98-99% 97-98% 96-98%
功率密度 Medium
2-5千瓦/升
非常高
10-20千瓦/升

5-15千瓦/升
非常高
8-25千瓦/升
初始投资成本
底线

3-5x
Medium
1.5-2x
中等偏上
2-3x
最高结温 150℃, 200°C+ 175℃, 125 150°C
额定电压 高达 6500V 高达 1700V 高达 1700V 高达 6500V
典型应用 电机驱动
太阳能逆变器
电动汽车充电器
太阳能逆变器
工业驱动
储能系统
高压直流输电系统
风力发电
市场成熟度 非常成熟 发展 新兴市场 成熟

📋 选择指南

✓ 在以下情况下选择 Si IGBT:
  • 成本是首要考虑因素
  • 低开关频率
  • 需要高电压
  • 需要经过验证的技术
✓ 在以下情况下选择 SiC MOSFET:
  • 高效率至关重要
  • 需要紧凑的尺寸
  • 高频工作
  • 热性能很重要
✓ 在以下情况下选择 SiC/Si 混合材料:
  • 平衡成本与性能
  • 从 Si IGBT 升级
  • 中频应用
  • 妥协方案
✓ 在以下情况下选择媒体包:
  • 需要超高功率
  • 需要出色的冷却
  • HVDC应用
  • 最大的可靠性

产品选型指南

只需 4 个简单的步骤即可找到适合您应用的完美电源模块。

您的主要应用是什么?

电机驱动

高开关频率能力,具有出色的热性能。

高压直流输电

具有超高电压能力和卓越的功率处理能力

UPS系统

具有超高电压能力和卓越的功率处理能力

再生能源

太阳能和风能应用的最高效率和可靠性。

定义应用程序

确定应用(工业驱动器、光伏逆变器、电动汽车、储能或电网传输)并定义性能、寿命和环境条件的要求。

电压和电流要求

选择合适的电压范围 (600V–6500V) 和电流容量。高压系统适合高压 IGBT 或压接式 IGBT;中低压高效应用则适合 SiC 模块或 SiC 分立器件。

切换与效率

评估开关频率和效率需求。高频应用(例如快速充电器、光伏逆变器)需要 SiC 模块,而传统驱动器可以使用 IGBT 模块。

热处理和包装

评估封装和冷却解决方案。压接式 IGBT 在高热循环条件下表现出色,SiC 分立器件适用于紧凑型系统,而混合模块则可以平衡散热和尺寸。

我们一路同行

01

半导体IGBT功率模块Precess-10

晶圆锯切

02

半导体IGBT功率模块Precess-15

激光打标

03

半导体IGBT功率模块Precess-2

芯片贴装

04

半导体IGBT功率模块Precess-1

自动插针

05

5 铜线绑定 IGBT MOSFET 功率模块制造步骤(5)

铜线结合

06

IGBT功率模块工艺162057

机壳激光打标

07

7 外壳组装 IGBT MOSFET 功率模块制造步骤(3)

外壳组装

08

半导体IGBT功率模块Precess-16

HTRB测试

09

半导体IGBT功率模块Precess-17

产品测试

高级功能和优势

HIITIO 的半导体电源模块为工业、汽车和可再生应用提供高效的高压电源转换。

高效能

下一代 IGBT 和 SiC 模块可减少开关损耗和冷却需求,从而提高整体系统效率。

强大的可靠性

工业级测试和先进的封装(如银烧结和双面冷却)确保在高负载和温度下稳定运行。

质量认证

符合 IEC 标准,并获得 ISO 和 IATF 认证,确保汽车和能源领域的可靠性。

为什么选择 HIITIO

可扩展的生产保证

HIITIO拥有3,100平方米的生产基地,其中包括1,500平方米的功率模块专用生产线。其万级洁净车间可支持年产10,000万台的产能规划,满足工业和新能源领域的大批量交付需求。

顶级研发能力

我们的研发团队50%拥有硕士/博士学位,核心成员平均拥有超过10年的电源模块开发经验。我们已成功构建了覆盖650-6500+电压范围、10-5000A额定电流的完整产品矩阵,涵盖以下主流拓扑结构: PIM/6 件装/半桥。

军工级质量体系

实施了23% X射线空洞检测、动/静态电性能测试等100项质量控制检查点。产品符合IEC-60747/60749/60068标准,SiC模块可承受高达200°C的高温工作。

深受全球行业客户信赖

常见问题

IGBT、SiC、混合模块之间有什么区别?

IGBT适合大电流,SiC可实现高效率,而混合型则将两者结合起来以实现性价比平衡。

它们集成了优化的芯片和封装,以减少损耗、提高热性能, boost 密度。

模块支持风冷、液冷、双面冷却,确保高负载下性能稳定。

通过适当的冷却,模块​​的使用寿命为 15 至 20 年;汽车的使用取决于负载和温度循环。

HIITIO 提供全面的技术支持、测试协助和长期合作伙伴服务,帮助主要客户实现可靠、经济高效且可扩展的解决方案。

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    多年经验

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    20

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    Страны и регионы

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    30,000

    ㎡ Производственная фабрика

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