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每一瓦,都受到保护。

从网格到货架。

数据中心电源解决方案

HIITIO 为现代数据中心提供全套电气元件,包括固态变压器、SiC/IGBT 功率模块、陶瓷高压直流接触器、半导体熔断器、高速转换开关、直流隔离开关和现场储能系统 (BESS)。我们是涵盖整个电力架构的合格供应商。

接触器最大电压
0 直流电压
转换开关速度
< 0 ms
供应国
0 +
制造经验
0 + 年
ul 认证标志
CB认证徽标
TUV认证标志新
CCC 徽标
达到认证标志

系统架构

HIITIO 组件在您的电源链中的位置

现代直流架构数据中心跨越多个电压域和保护层。此图将每个 HIITIO 产品精确映射到其在电源链中的位置——从公用设施输入端到服务器机架。

电力流向:公用电网 → 服务器机架
输入 公用电网 中压交流电 10–33 kV
喜拓 固态变压器 + SiC功率模块
喜拓 高压直流接触器+熔断器 直流母线保护
喜拓 直流断路开关 维护隔离
输出 服务器机架 380 伏直流 / 400 伏交流

产品

七个组成部分,一个协调一致的解决方案。

七大产品类别,统一架构。每个组件都经过认证,与应用相匹配,并设计成可以与其他组件协同工作——消除了多供应商采购带来的协调风险。

01

电力转换主干网

固态变压器(SST)

SST采用三级高频SiC/IGBT开关架构,取代了传统的铁芯配电变压器。在直流架构的数据中心中,它作为中压交流电到低压直流母线的单一转换级,省去了中间的UPS和整流级,并在兆瓦级应用中将总转换损耗降低了2-4个百分点。

能力 普速 SST(HIITIO)
频率 50 / 60 Hz 1–100 赫兹
原生直流端口
主动式PFC
双向流动
无功功率控制
总谐波失真滤波 仅被动 主动式、可编程
模块类型 电压 电流 应用领域
SiC 高达 2,200 V 高达900 A SST,800V母线直流/直流
IGBT(第三代) 600-1,700伏 定制化 UPS逆变器,低压直流整流器
SiC/Si混合物 定制化 定制化 成本敏感阶段

02

交换核心

SiC/IGBT半导体功率模块

数据中心的每个电源转换阶段——固态变压器整流器、直流/直流隔离转换器、UPS逆变器、电源控制系统——都以半导体功率模块为基础构建。HIITIO的产品组合涵盖SiC(最高2,200V/900A)、IGBT(第三代低损耗封装)和SiC/Si混合模块,可通过hiitiosemi.com购买。

03

直流母线控制

陶瓷高压直流接触器

航空级陶瓷气密密封可在高达 2,500 Vdc 的电压下实现可靠​​的灭弧,无需氢气或氮气填充。HIITIO HCF 系列接触器应用于数据中心电源架构的每个直流母线隔离和预充电点,从 SST 中间母线到 BESS 组串连接。

参数 规格
额定电流 20 安 – 1,000 安
额定电压 最高可达 2,500 伏直流电
线圈电压 12/24/48 伏直流电
温度范围 −40°C 至 +85°C
灭弧 陶瓷真空密封,非极性
认证 UL 60947-4、CE、CB、CCC、SEMKO
辅助触点 可选
熔断器类型 标准版 数据中心应用
BS88半导体 IEC 60269 SST直流母线,BESS PCS
方体 IEC 60269 工业直流配电
北美玻璃纤维 UL 248 美国市场数据中心
aR(备份) IEC 60269-4 SiC/IGBT模块保护
gGR(全范围) IEC 60269-4 通用直流电路保护

04

过流保护

半导体保险丝

SiC 和 IGBT 功率模块在承受超过其 I²t 额定值的故障电流时,会在微秒内失效。标准微型断路器 (MCB) 和电路断路器无法足够快地切断直流故障电流。HIITIO 半导体熔断器可在 1-2 毫秒内清除故障——在模块结温达到失效阈值之前。与 HIITIO 的接触器系列完全兼容。

05

交流电源连续性

高速自动转换开关(HATS)

HIITIO 的高速自动转换开关可在不到 5 毫秒的时间内将关键交流负载从主电源切换到备用电源——完全符合现代服务器电源的保持时间要求。混合固态 + 机械触点技术以更低的成本实现了静态转换开关 (STS) 级别的性能,并提高了机械耐用性。

参数 规格
转移时间 <5毫秒
额定绝缘电压 1,000 V
工作电压 最高可达 400 伏交流电
电流范围 32 安 – 800 安
相态配置 3P/4P
技术 混合固态+机械
应用 数据中心、UPS旁路、冷却设备
BESS 功能 数据中心优势
调峰 降低需求费用和能源成本
备用电源/UPS 有序关闭或完全持续运行
可再生整合 吸收太阳能/风能盈余
需求响应 电网项目收入
网格形成 边缘数据中心/远程人工智能节点稳定性

06

现场能源储备

电池储能系统(BESS)

HIITIO 基于磷酸铁锂电池的储能系统 (BESS) 可为数据中心削峰、备用电源、可再生能源并网和需求响应提供现场能源储备。该系统采用 EVE A 级电芯,集成电池管理系统 (BMS) 和能量管理系统 (EMS),并由与直流母线架构其他部分相同的 HVDC 接触器和半导体熔断器组进行保护。

07

维护隔离

直流隔离开关(HCG4系列)

HCG4系列直流隔离开关可在高达1,500V直流和2,500A的高压直流电路中提供可见且可锁定的隔离点。与接触器不同,它采用手动操作,使维护工程师能够在对直流母线、储能系统串或固态变压器模块进行操作之前,创建可验证的断路状态。模块化单极设计简化了多极组装。

参数 规格
额定电压 直流 1,000 伏 / 1,500 伏
额定电流 160 安 – 2,500 安
运行机制 双弹簧储能
操作方式 正面/侧面/柜内/柜外
配件 辅助触头模块
认证 CE,RoHS指令
应用 直流数据中心、电池储能系统 (BESS)、太阳能集热器 (SST)、太阳能光伏发电

SST 与传统

为什么数据中心正在转向固态电源转换

用 SST 取代传统的变压器-UPS 链,可以减少转换级数,消除被动铁芯,并释放原生直流母线输出——直接转化为兆瓦级更低的损耗和更小的占地面积。

参数 传统变压器 + UPS 链 固态变压器(SST)
转换阶段(网格→服务器) 3-4个阶段(损失复合) 1-2个阶段
原生LVDC总线输出 ✗(需要单独的整流器) ✓(380伏直流直通)
功率因数校正 被动(或独立的PFC阶段) 主动式、可编程
Footprint 大型(铁芯+UPS机柜) 紧凑型(高频变压器+模块)
双向功率流 ✓(支持V2G、BESS集成)
满载效率 每阶段约92-95% 每阶段96-98%以上(SiC)

为什么选择 HIITIO

协调的组成部分。
全球认证。工程支持。

协调、认证和规模——当一个兆瓦级数据中心的电气完整性取决于您指定的组件时,这三件事至关重要。

协调保护堆栈

HIITIO熔断器的I²t额定值经过精心设计,可保护上游接触器。接触器的分断能力与熔断器后的故障电流相匹配。隔离开关的额定值与母线横截面相匹配。不存在协调不匹配的风险。

全球认证

UL 60947-4、UL 248、IEC 60269、CE、CB、CCC、SEMKO、RoHS — 涵盖美国、欧盟、中国和新兴市场的数据中心项目。

生产规模

总部占地30,000平方米,配备内部测试实验室。通过IATF 16949质量体系认证。采用MES控制系统实现全自动化生产。具备大批量OEM和项目供应能力。

工程支持

应用工程包括组件选择、I²t 协调研究、高海拔或高环境条件下的降额应用,以及额定值、线圈电压和通信接口的定制。

单一供应商

接触器、熔断器、隔离开关、转换开关、电源模块、不锈钢组件和储能系统——全部来自同一合格供应商。减少采购关系,简化质量保证流程,协调交货周期。

50多个国家

在北美、欧洲、中东、东南亚及其他地区拥有超过500家满意的客户。具备完善的出口流程和物流经验,能够满足数据中心项目的时间要求。

解决方案总结

完整的数据中心组件映射

从公用设施入口处的 AC/DC 转换到维护访问的手动隔离——数据中心电源架构的每一层都映射到 HIITIO 产品所涵盖的层面。

电源层 工程挑战 HIITIO 产品 主要规格
交流/直流转换 多阶段损失,大面积损毁 固态变压器 高频开关,原生直流端口,双向
电源开关 低损耗、高频转换 SiC/IGBT功率模块 最高电压 2,200 伏 / 电流 900 安,低导通/关断电压
直流母线保护 微秒级故障电流清除 半导体保险丝 aR/gR,符合IEC 60269/UL 248标准,清除时间<2毫秒
直流母线控制 可靠的隔离和预充电 陶瓷高压直流接触器 20–1,000 A,最高 2,500 Vdc,UL/CE/CB/CCC 认证
交流电源连续性 低于 10 毫秒的源传输 高速转换开关 <5毫秒,32–800安培,400伏交流电
现场能源储备 备用电源、削峰填谷、可再生能源 储能系统(磷酸铁锂) EVE A级电芯,集成BMS/EMS
维护隔离 安全可靠的直流隔离 直流断路开关 160–2,500 安培,1,500 伏直流,可锁定

准备好制定数据中心电源架构了吗?

无论您是指定 1 MW 边缘节点还是 100 MW 超大规模园区,HIITIO 的工程团队都可以在 24 小时内提供协调的组件建议、I²t 保护研究和项目定价。

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